本征硅、(intrinsic silicon)晶格完整且不含杂质的硅单晶,其中参与导电的电子和空穴数目相等。室温下本征硅的电阻率约为2.32105Ω·cm。
一、主要用途:
适用于磁控溅射制备锂薄膜
二、适用领域:
1、适用溅射设备品牌:
A.适用设备:单靶溅射系统,双靶溅射系统,JC500型磁控溅射仪,DE300DL 磁控溅射系统
B.适用设备品牌:
国产品牌:南光机器厂、北京仪器厂、金盛微纳、沈阳科仪、JK-LASKER、微电子所等品牌
2、常规尺寸:
1.直径:1英寸,2英寸,3英寸,4英寸,5英寸等不同直径
2.厚度:1mm,2mm,3mm,4mm等尺寸可定做
三、产品详细价格:
货号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 数量 | 交期 | 备注 |
Si-T6025P1 | P型硅 靶材 | 99.9999% φ50.8*5mm <0.0001Ω.cm | 片 | 1 | 7-10个工作日 |
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Si-T6025N1 | N型硅 靶材 | 99.9999% φ50.8*5mm <0.0001Ω.cm | 片 | 1 | 7-10个工作日 |
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Si-T6025N2 | N型硅 靶材 | 99.9999% φ50.8*5mm 1-10Ω.cm | 片 | 1 | 7-10个工作日 |
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Si-T6025 | 本征硅 靶材 | 99.9999% φ50.8*5mm | 片 | 1 | 7-10个工作日 |
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